11 results
Search Results
Now showing 1 - 10 of 11
Article Citation - WoS: 2Citation - Scopus: 2Trap Distribution in Agin5s8< Single Crystals: Thermoluminescence Study(Pergamon-elsevier Science Ltd, 2018) Delice, S.; Işık, Mehmet; Isik, M.; Gasanly, N. M.; Işık, Mehmet; Department of Electrical & Electronics Engineering; Department of Electrical & Electronics EngineeringDistribution of shallow trap levels in AgIn5S8 crystals has been investigated by thermoluminescence (TL) measurements performed below room temperature (10-300 K). One broad TL peak centered at 33 K was observed as constant heating rate of 0.2 K/s was employed for measurement. The peak shape analysis showed that the TL curve could consist of several individual overlapping TL peaks or existence of quasi-continuous distributed traps. Therefore, TL experiments were repeated for different stopping temperatures (T-stop) between 10 and 34 K with constant heating rate of 0.2 K/s to separate the overlapping TL peaks. The E-t vs T-stop indicated that crystal has quasi-continuously distributed traps having activation energies increasing from 13 to 41 meV. Heating rate effect on trapped charge carriers was also investigated by carrying out the TL. experiments with various heating rates between 0.2 and 0.6 K/s for better comprehension of characteristics of existed trap levels. Analyses indicated that the trap levels exhibited the properties of anomalous heating rate behavior which means the TL intensity and area under the TL peak increase with increasing heating rate.Master Thesis Photo-Transferred Thermoluminescence Characteristics of Beta-Irradiated Mgo Nanopowders(2018) Mamı, Abeer K.; Işık, MehmetMgO nanotozlarındaki sığ tuzak merkezleri foto-transfer termolüminesans ölçümleri kullanılarak karakterize edildi. Deneyler sabit ısıtma hızı ile 10-300 K düşük sıcaklık aralığında gerçekleştirildi. Sığ tuzak merkezleri ilk olarak oda sıcaklığında S90/Y90 kaynağı ile ışıma yaptırarak ve daha sonra 10 K sıcaklığında mavi LED kullanılarak ışıklandırarak yük taşıyıcıları ile dolduruldu. Termolüminesans eğrisi 150 K civarında bir pik gösterdi. Eğri fit analizleri bu pikin maksimum sıcaklıkları 149.0 ve 155.3 K olan iki birbirinden ayrı pikten oluştuğunu gösterdi. Piklere karşılık gelen tuzak merkezlerinin aktivasyon enerjileri 0.70 ve 0.91 eV olarak ortaya çıkarıldı. TL süreçlerindeki baskın mekanizma, hızlı geri tuzaklanmanın bant boşluğu içerisinde gerçekleşen geçişlerde etkili olduğunu ifade eden ikinci dereceden mertebe olarak bulundu. Analizler ayrıca ilk yükselme ve pik şekli metotları kullanılarak yapıldı. Tüm sonuçlar birbirleri ile uyumluluk gösterdi. MgO nanotozların yapısal karakterizasyonu x-ışını kırınımı, tarayıcı elektron mikroskobu ve Fourier dönüşümlü kızılötesi spektroskobi ölçümleri ile incelendi. Deneysel gözlemlerin analizleri MgO nanotozların 20-30 nm civarında parçacık boyutuna sahip iyi kristallik özelliği gösterdiğini işaret etti.Article Citation - WoS: 9Citation - Scopus: 9Thermally Stimulated Current Measurements in Undoped Ga3inse4< Single Crystals(Pergamon-elsevier Science Ltd, 2011) Isik, M.; Işık, Mehmet; Gasanly, N. M.; Işık, Mehmet; Department of Electrical & Electronics Engineering; Department of Electrical & Electronics EngineeringThe trap levels in nominally undoped Ga3InSe4 crystals were investigated in the temperature range of 10-300 K using the thermally stimulated currents technique. The study of trap levels was accomplished by the measurements of current flowing along the c-axis of the crystal. During the experiments we utilized a constant heating rate of 0.8 K/s. Experimental evidence is found for one hole trapping center in the crystal with activation energy of 62 meV. The analysis of the experimental TSC curve gave reasonable results under the model that assumes slow retrapping. The capture cross-section of the trap was determined as 1.0 x 10(-25) cm(2) with concentration of 1.4 x 10(17) cm(-3). (C) 2011 Elsevier Ltd. All rights reserved.Article Citation - WoS: 5Citation - Scopus: 5Structural and Optical Properties of Thermally Evaporated (gase)0.75-(gas)0.25 Thin Films(Elsevier Gmbh, 2021) Isik, M.; Işık, Mehmet; Emir, C.; Gasanly, N. M.; Işık, Mehmet; Department of Electrical & Electronics Engineering; Department of Electrical & Electronics EngineeringGaSe and GaS binary semiconducting compounds are layered structured and have been an attractive research interest in two-dimensional material research area. The present paper aims at growing (GaSe)0.75 - (GaS)0.25 (or simply GaSe0.75S0.25) thin film and investigating its structural and optical properties. Thin films were prepared by thermal evaporation technique using evaporation source of its single crystal grown by Bridgman method. The structural properties were revealed using x-ray diffraction (XRD), energy dispersive spectroscopy (EDS), scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) techniques. XRD pattern and EDS analyses indicated that thin films annealed at 300 ?C were successfully deposited and its structural characteristics are well-consistent with its single crystal form. Surface morphology was studied by means of SEM and AFM measurements. Optical properties were investigated by transmission and Raman spectroscopy techniques. Raman spectrum exhibited three peaks around 172, 242 and 342 cm-1. Analyses of transmission spectrum revealed the direct band gap energy as 2.34 eV. The mixed compounds of GaSe0.75S0.25 were prepared for the first time in a thin film form and the results of the present paper would provide valuable information to research area in which layered compounds have been studied in detail.Master Thesis Gas(x)se(1-x) Katmanlı Karışım Kristallerinin Yapısal ve Elipsometrik Özellikleri(2017) Habaibi, Om-alhana; Işık, Mehmet; Özkan, Filiz KorkmazGaSxSe1-x katmanlı karışım kristalleri yapısal ve optiksel karakterizasyon teknikleri kullanılarak incelendi. Bridgman metodu ile büyütülen örneklerin yapısal karakterizasyonu x-ışını kırınımı (XRD), enerji saçılım spektroskopisi (EDS) ve Fourier transform kızılötesi spektroskopisi teknikleri kullanılarak başarıldı. Karışım kristallerinin kompozisyonal bağımlılığı EDS deneyleri ile elde edildi. Ölçümlerin sonuçları, kullanılan örneklerin x değerinin 0.25 aralıklar ile 0 ile 1 arasında olduğu kompozisyona denk geldiğini gösterdi. Örneklerin kristal yapısı XRD ölçümlerinin sonuçlarını ve analiz için bir yazılım programı kullanarak açığa çıkarıldı. FTIR tayfları x=0, 0.25 ve 0.50 kompozisyonlarındaki örneklerin içerisinde çoklu fonon emiliminin var olduğunu gösterdi. XRD ve FTIR deneylerinin sonuçları kullanılan kompozisyonlar arasında ilişkilendirildi. Örneklerin optiksel karakterizasyonu 1.2-6.0 eV spektral aralıpında gerçekleştirilen elipsometri deneyleri ile tamamlandı. Ölçüm sisteminin çıkış datası optiksel parametrelerin spektraş bağımlılığını gösteren dataya çevrildi. Elipsometrik data örneklerin bant boşluğu enerjilerini elde etmek için kullanıldı. Elde edilen bant enerjisi değerleri karışım kristallerinde sülfür kompozisyonu arttıkça bant enerjisinin 2.4 eV'tan (x = 0) 2.57 eV'a (x = 1) arttığını gösterdi. Ortaya çıkarılan bant enerji değerlerine göre bant boşluğu enerjisinin kompozisyona bağlılığını gösteren bir grafik çizildi.Article Citation - WoS: 8Citation - Scopus: 7Structural and Optical Characteristics of Thermally Evaporated Tlgase2 Thin Films(Elsevier, 2022) Isik, M.; Işık, Mehmet; Karatay, A.; Gasanly, N. M.; Işık, Mehmet; Department of Electrical & Electronics Engineering; Department of Electrical & Electronics EngineeringThe present paper reports the structural and optical properties of thermally evaporated TlGaSe2 thin films. X-ray diffraction pattern of evaporated film presented two diffraction peaks around 24.15 and 36.00 degrees which are associated with planes of monoclinic unit cell. Surface morphology of the TlGaSe2 thin films was investigated by scanning electron and atomic force microscopy techniques. Although there was observed some ignorable amount of clusters of quasi-spherical shape in the scanning electron microscope image, the film surface was observed almost uniform. Raman spectrum exhibited six peaks around 253, 356, 488, 800, 1053 and 1440 cm(-1) associated with possible vibrational mode combinations. Band gap energy of the thin film was determined as 3.01 eV from the analyses of transmission spectrum. Transmission spectrum presented strong Urbach tail and analyses of corresponding region resulted in Urbach energy of 0.66 eV. The structural and optical properties of deposited TlGaSe2 thin films were compared with those of single crystal. This comparison would provide valuable information about influence of thickness on the studied compounds.Article Citation - WoS: 7Citation - Scopus: 7Interband Critical Points in Tlgax< Layered Mixed Crystals (0 ≤ x ≤ 1)(Elsevier Science Sa, 2013) Isik, M.; Işık, Mehmet; Gasanly, N. M.; Işık, Mehmet; Department of Electrical & Electronics Engineering; Department of Electrical & Electronics EngineeringThe layered semiconducting TlGaxIn1-xS2 mixed crystals (0 <= x <= 1) were studied by spectroscopic ellipsometry measurements in the 1.2-6.2 eV spectral range at room temperature. The spectral dependence of the components of the complex dielectric function, refractive index and extinction coefficient were revealed using an optical model. The interband transition energies in the studied samples were found from the analysis of the second-energy derivative spectra of the complex dielectric function. The variation of the obtained energies with composition were plotted to see the effect of the substitution of indium with gallium. Moreover, a simple diagram showing the revealed transitions in the available electronic band structure was given for TlGaS2 single crystals. (C) 2013 Elsevier B.V. All rightsArticle Citation - WoS: 12Citation - Scopus: 12First Principles Study of Bi12geo20< Electronic, Optical and Thermodynamic Characterizations(Elsevier, 2021) Isik, M.; Işık, Mehmet; Surucu, G.; Gencer, A.; Gasanly, N. M.; Işık, Mehmet; Department of Electrical & Electronics Engineering; Department of Electrical & Electronics EngineeringBismuth germanium oxide (Bi12GeO20) is one of the attractive members of sillenite compounds having fascinating photorefractive characteristics. The electronic, optical and thermodynamic properties of Bi12GeO20 were investigated using density functional theory (DFT) calculations. The experimental and calculated X-ray diffraction patterns were obtained as well-consistent with each other. The lattice constant of the cubic crystalline structure of Bi12GeO20 compound was calculated as 10.304 angstrom. The electronic band structure and partial density of states plots were reported and contribution of constituent atoms (Bi12GeO20) to the valence and conduction bands was presented. The band gap energy of the Bi12GeO20 was calculated as 3.20 eV. This wide direct band gap energy provides Bi12GeO20 significant potential in ultraviolet applications. The spectra of real and imaginary components of dielectric function, refractive index, extinction coefficient and absorption coefficient were drawn in the 0-10 eV energy range. Temperature-dependent heat capacity plot indicated the Dulong-Petit limit as 825 J/mol.K. The results of the present study would present worthwhile information to device application areas of Bi12GeO20 compound.Research Project Nadir Toprak Elementi Katkılı Zno Nanokritallerinin Sentezlenmesi ve Düşük Sıcaklık Termolüminesans Özelliklerinin İncelenmesi(2019) Işık, MehmetKatkısız ve Gd, Yb ve Er katkılı ZnO nanokristaller sol-jel yöntemi ile sentezlendi. Sentezlenen nanoparçacıkların yapısal ve termolüminesans (TL) özellikleri bu çalışmada incelendi. Yapısal özelliklerinin incelenmesi x-ışını kırınımı ve tarayıcı elektron mikroskobu (SEM) ölçüm teknikleri ile gerçekleştirildi. X-ışını kırınımı sonucunda sentezlenen nanoparçacıkların kristal yapıları hakkında bilgi edinilirken, SEM görüntüleri sayesinde de nanoparçacıkların boyutları hakkında bilgi sahibi olundu. Nanoparçacıkların TL eğrileri 10- 300 K sıcaklık aralığında sabit bir ısıtma hızı (0.2 K/s) kullanılarak yapılan ölçümler ile elde edildi. Ölçümler sonucunda gözlemlenen TL eğrileri eğri fit ve ilk yükselme yöntemleri kullanılarak analiz edildi. Analizler sonucunda TL eğrilerinin oluşmasına sebep olan tuzak merkezlerinin aktivasyon enerjileri belirlendi. Farklı oranlarda sentezleme yapılan katkılamalar sonucunda herbir katkılama oranında gözlemlenen TL eğrileri katkısız ZnO nanoparçacıklara ait TL eğrileri ile kıyaslanarak katkılamanın ZnO malzemesine etkisi incelendi. Tuzak dağılımlarının karakteristikleri ile ilgili bilgi edinebilmek amacı ile katkısız ZnO nanoparçacıklar ışıklandırma sıcaklığı değiştirerek uygulanan deneysel bir yönteme tabi tutuldu. Farklı sıcaklıklarda yapılan ışıklandırma sonucunda gözlemlenen TL eğrilerinin özellikleri incelenerek tuzak merkezlerinin yasaklı bant boşluğu içerisindeki dağılımı hakkında detaylı bir bilgiye sahip olundu.Master Thesis Al-katkılı Zno Nanoparçacıkların Düşük Sıcaklık Termolüminesans Özellikleri(2018) Emhemed, Nahed Abdulsalam; Işık, MehmetAlüminyum katkılı ZnO nanoparçacıklar (AZO nanoparçacıklar) düşük sıcaklık termolüminesans (TL) ve yapısal karakterizayon deneyleri kullanılarak incelendi. Yapısal özellikleri x-ışını kırınımı ve tarayıcı elektron mikroskobu deneyleri kullanılarak çalışıldı. AZO nanoparçacıkların kristal yapısı hegzagonal yapı olarak bulundu. X-ışını deseni katkılanan elemente ait herhangi bir pik göstermedi. Bu katkılamanın başarılı bir şekilde gerçekleştiğini gösterdi. Tarayıcı elektron mikroskobu ölçümleri nanoparçacıkların yüzek morfolojisini gösterdi ve nanoparçaıkların boyutlarının 100 nm civarında olduğu görüldü. Düşük sıcaklık TL deneyleri AZO nanoparçacıkları üzerinde 10-300 K sıcaklık aralığında gerçekleştirildi. TL eğrisi 123 K civarında şiddetli bir pik ve bu pike çakışık 85 K ve 150 K civarında iki pik gösterdi. Eğri fit, ilk yükselme, pik şekli ve farklı ısıtma oranı metotları ilgili tuzak merkezlerinin aktivasyon enerjilerini bulmak için kullanıldı. Analizler pik maksimum sıcaklıları 86.2, 121.5 ve 147.1 K olan 44, 76 ve 165 meV seviyelerinde üç merkezin varlığını gösterdi. Pik şekli metodu analizleri, gözlemlenen pikler için µg parametresinin genel kinetik merterbesini işaret eden 0.42 ve 0.52 arasında olduğunu gösterdi. TL deneyleri 0.1 K/s ve 0.7 K/s arasında farklı ısıtma oranları kullanılarak genişletildi. Tuzak merkezlerinin aktivasyon enerjileri pik maksimum sıcaklığının ısıtma hızına bağımlılığı kullanılarak eld edildi.
