Gas(x)se(1-x) Katmanlı Karışım Kristallerinin Yapısal ve Elipsometrik Özellikleri

Loading...
Thumbnail Image

Date

2017

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Open Access Color

OpenAIRE Downloads

OpenAIRE Views

Research Projects

Organizational Units

Organizational Unit
Department of Electrical & Electronics Engineering
Department of Electrical and Electronics Engineering (EE) offers solid graduate education and research program. Our Department is known for its student-centered and practice-oriented education. We are devoted to provide an exceptional educational experience to our students and prepare them for the highest personal and professional accomplishments. The advanced teaching and research laboratories are designed to educate the future workforce and meet the challenges of current technologies. The faculty's research activities are high voltage, electrical machinery, power systems, signal and image processing and photonics. Our students have exciting opportunities to participate in our department's research projects as well as in various activities sponsored by TUBİTAK, and other professional societies. European Remote Radio Laboratory project, which provides internet-access to our laboratories, has been accomplished under the leadership of our department with contributions from several European institutions.

Journal Issue

Events

Abstract

GaSxSe1-x katmanlı karışım kristalleri yapısal ve optiksel karakterizasyon teknikleri kullanılarak incelendi. Bridgman metodu ile büyütülen örneklerin yapısal karakterizasyonu x-ışını kırınımı (XRD), enerji saçılım spektroskopisi (EDS) ve Fourier transform kızılötesi spektroskopisi teknikleri kullanılarak başarıldı. Karışım kristallerinin kompozisyonal bağımlılığı EDS deneyleri ile elde edildi. Ölçümlerin sonuçları, kullanılan örneklerin x değerinin 0.25 aralıklar ile 0 ile 1 arasında olduğu kompozisyona denk geldiğini gösterdi. Örneklerin kristal yapısı XRD ölçümlerinin sonuçlarını ve analiz için bir yazılım programı kullanarak açığa çıkarıldı. FTIR tayfları x=0, 0.25 ve 0.50 kompozisyonlarındaki örneklerin içerisinde çoklu fonon emiliminin var olduğunu gösterdi. XRD ve FTIR deneylerinin sonuçları kullanılan kompozisyonlar arasında ilişkilendirildi. Örneklerin optiksel karakterizasyonu 1.2-6.0 eV spektral aralıpında gerçekleştirilen elipsometri deneyleri ile tamamlandı. Ölçüm sisteminin çıkış datası optiksel parametrelerin spektraş bağımlılığını gösteren dataya çevrildi. Elipsometrik data örneklerin bant boşluğu enerjilerini elde etmek için kullanıldı. Elde edilen bant enerjisi değerleri karışım kristallerinde sülfür kompozisyonu arttıkça bant enerjisinin 2.4 eV'tan (x = 0) 2.57 eV'a (x = 1) arttığını gösterdi. Ortaya çıkarılan bant enerji değerlerine göre bant boşluğu enerjisinin kompozisyona bağlılığını gösteren bir grafik çizildi.
GaSxSe1-x layered mixed crystals were investigated using structural and optical characterization techniques. Structural characterization of samples grown by Bridgman method were accomplished using x-ray diffraction (XRD), energy dispersive spectroscopy (EDS) and fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy techniques. Compositional dependence of mixed crystals were obtained from EDS experiments. Results of measurement indicated that used samples correspond to composition of x varying from 0 to 1 by 0.25 intervals. The crystal structures of the samples were revealed using the results of XRD measurements and a software program for analyses. FTIR spectra of the samples indicated the presence of multiphonon absorptions in the samples for compositions of x = 0, 0.25 and 0.50. The results of XRD and FTIR experiments were associated between the used compositions. Optical characterization of the samples were achieved by ellipsometry experiments carried out in the spectral range of 1.2-6.0 eV. The output data of measurement system were converted to data presenting the spectral dependency of optical parameters. Ellipsometric data was used to obtain the band gap energy of the samples. Obtained band gap energy values showed that as sulfur composition is increased in the mixed crystals, band gap energy increases from 2.04 eV (x = 0) to 2.57 eV (x = 1). According to revealed band gap energy values, a graph presenting the compositional dependence of bang gap energy was plotted.

Description

Keywords

Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering, Elipsometri, Ellipsometry

Turkish CoHE Thesis Center URL

Fields of Science

Citation

WoS Q

Scopus Q

Source

Volume

Issue

Start Page

0

End Page

63