2 results
Search Results
Now showing 1 - 2 of 2
Article İKİ KATMANLI DOLU BİR SİLİNDİRİN ELASTİK DAVRANIŞININ FARKLI UÇ VE SINIR KOŞULLARI İÇİN ANALİTİK OLARAK İNCELENMESİ(Turkish Soc thermal Sciences Technology, 2020) Akış, Tolga; Eraslan, Ahmet N.İki katmanlı dolu silindirlerin zamana bağlı termoelastik davranışlarının farklı uç ve sınır koşulları için belirlenmesi amacıyla analitik modeller geliştirilmiştir. Söz konusu silindirler, aralarında mükemmel temas olan ikikatmandan oluşmaktadır. Başlangıçta sıcak olan silindir, yüzeyinden konveksiyon yolu ile sıfır derecelik çevreselsıcaklığa veya önceden daha düşük olarak belirlenen yüzey sıcaklığına ulaşana kadar enerji kaybetmektedir. Tümdurumlarda soğuma yavaş bir biçimde gerçekleştiğinden problemde kuplajsız elastisite teorisinin kullanılması mümkünolmuştur. Genelleştirilmiş düzlemsel şekil değiştirme çözümü elde edilmiş ve bu çözüm, eksenel yöndeki birim şekildeğiştirmeyi sıfıra eşitleyerek düzlemsel şekil değiştirme durumuna ait çözüme indirgenmiştir. Bu çözümlere aitsonuçlar, sınır koşullarının serbest olduğu durumlarda radyal ve teğetsel yöndeki gerilmelerin uç koşullarına göredeğişmediğini göstermiştir. Ancak düzlemsel şekil değiştirme durumunda, eksenel gerilme baskın gerilme olmakta veuçların serbest olduğu duruma göre oldukça yüksek değerlere ulaşmaktadır. Kompozit silindirin eksenel ve radyalyönde yer değiştirmesinin kısıtlanması büyük gerilmelere yol açmasına rağmen ilgili gerilme durumu silindirde akmayayol açmamaktadır.Article Deposition and Characterization of Znsnse2 Thin-Films Deposited by Using Sintered Stoichiometric Powder(2019) Sürücü, Özge Bayraklı; Güllü, Hasan HüseyinIn this work, ZnSnSe2 (ZTSe) thin films were deposited using crystalline powder grown by vertical Bridgman-Stockbarger technique. The deposition process was carried out by means of e-beam evaporation on the well-cleaned soda lime glass substrates and keeping them at the substrate temperature of 200°C. The structural, optical and electrical properties of ternary ZTSe thin films were investigated depending on the annealing temperature at 250 and 300°C. X-ray diffraction analysis showed that as-grown films were in amorphous structure, however annealing at 250°C triggered the crystallization on the preferred ternary structure and annealing at 300°C resulted in the changes from amorphous to the polycrystalline structure. Using the compositional analysis, the detail information about the stoichiometry and the segregation mechanisms of the constituent elements in the structure were determined for both as-grown and annealed samples. In addition, they were morphologically characterized using scanning electron microscopy technique. The electrical properties were analyzed using temperature dependent dark- and photo-conductivity measurements. From the variation of electrical conductivity as a function of the ambient temperature, the current transport mechanisms and corresponding activation energies at specific temperature intervals for each sample were determined. The optical properties for the ZTSe thin films were studied depending on the structural changes with annealing.
