2 results
Search Results
Now showing 1 - 2 of 2
Research Project Nadir Toprak Elementi Katkılı Zno Nanokritallerinin Sentezlenmesi ve Düşük Sıcaklık Termolüminesans Özelliklerinin İncelenmesi(2019) Işık, MehmetKatkısız ve Gd, Yb ve Er katkılı ZnO nanokristaller sol-jel yöntemi ile sentezlendi. Sentezlenen nanoparçacıkların yapısal ve termolüminesans (TL) özellikleri bu çalışmada incelendi. Yapısal özelliklerinin incelenmesi x-ışını kırınımı ve tarayıcı elektron mikroskobu (SEM) ölçüm teknikleri ile gerçekleştirildi. X-ışını kırınımı sonucunda sentezlenen nanoparçacıkların kristal yapıları hakkında bilgi edinilirken, SEM görüntüleri sayesinde de nanoparçacıkların boyutları hakkında bilgi sahibi olundu. Nanoparçacıkların TL eğrileri 10- 300 K sıcaklık aralığında sabit bir ısıtma hızı (0.2 K/s) kullanılarak yapılan ölçümler ile elde edildi. Ölçümler sonucunda gözlemlenen TL eğrileri eğri fit ve ilk yükselme yöntemleri kullanılarak analiz edildi. Analizler sonucunda TL eğrilerinin oluşmasına sebep olan tuzak merkezlerinin aktivasyon enerjileri belirlendi. Farklı oranlarda sentezleme yapılan katkılamalar sonucunda herbir katkılama oranında gözlemlenen TL eğrileri katkısız ZnO nanoparçacıklara ait TL eğrileri ile kıyaslanarak katkılamanın ZnO malzemesine etkisi incelendi. Tuzak dağılımlarının karakteristikleri ile ilgili bilgi edinebilmek amacı ile katkısız ZnO nanoparçacıklar ışıklandırma sıcaklığı değiştirerek uygulanan deneysel bir yönteme tabi tutuldu. Farklı sıcaklıklarda yapılan ışıklandırma sonucunda gözlemlenen TL eğrilerinin özellikleri incelenerek tuzak merkezlerinin yasaklı bant boşluğu içerisindeki dağılımı hakkında detaylı bir bilgiye sahip olundu.Article Citation - WoS: 7Citation - Scopus: 7Optical Properties of Gas Crystals: Combined Study of Temperature-Dependent Band Gap Energy and Oscillator Parameters(Natl inst Science Communication-niscair, 2017) Isik, Mehmet; Tugay, Evrin; Gasanly, Nizami; Department of Electrical & Electronics EngineeringOptical parameters of gallium sulfide (GaS) layered single crystals have been found through temperature-dependent transmission and room temperature reflection experiments in the wavelength range of 400-1100 nm. Experimental data demonstrates the coexistence of both optical indirect and direct transitions and the shift of the absorption edges toward lower energies by increasing temperature in the range of 10-300 K. Band gap at zero temperature, average phonon energy and electron phonon coupling parameter for indirect and direct band gap energies have been obtained from the analyses of temperature dependences of band gap energies. At high temperatures kT>> (E-ph), rates of band gap energy change have been found as 0.56 and 0.67 me V/K for E-gi and E-gd, respectively. Furthermore, the dispersion of refractive index has been discussed in terms of the Wemple-DiDomenico single effective oscillator model. The refractive index dispersion parameters, namely oscillator and dispersion energies, oscillator strength and zero-frequency refractive index, have been found to be 4.48 eV, 24.8 eV, 6.99x10(13) m(-2) and 2.56, respectively. The results of the present work will provide an important contribution to the research areas related to the characterization and optoelectronic device fabrication using GaS layered crystals.
