$CuInSe_2$ ve $CuGaSe_2$ İnce Filmlerin Özellikleri Üzerine Karşılaştırmalı Çalışma

No Thumbnail Available

Date

2019

Authors

Güllü, Hasan Hüseyin
Güllü, Hasan Hüseyin

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Open Access Color

OpenAIRE Downloads

OpenAIRE Views

Research Projects

Organizational Units

Organizational Unit
Department of Electrical & Electronics Engineering
Department of Electrical and Electronics Engineering (EE) offers solid graduate education and research program. Our Department is known for its student-centered and practice-oriented education. We are devoted to provide an exceptional educational experience to our students and prepare them for the highest personal and professional accomplishments. The advanced teaching and research laboratories are designed to educate the future workforce and meet the challenges of current technologies. The faculty's research activities are high voltage, electrical machinery, power systems, signal and image processing and photonics. Our students have exciting opportunities to participate in our department's research projects as well as in various activities sponsored by TUBİTAK, and other professional societies. European Remote Radio Laboratory project, which provides internet-access to our laboratories, has been accomplished under the leadership of our department with contributions from several European institutions.

Journal Issue

Abstract

Cu(In1-xGax)Se2 (CIGS) yarıiletken ince filmlerin iki kenar noktası olan x=0 ($CuInSe_2$) ve x=1 ($CuGaSe_2$) ince filmleri, Cu, InSe ve GaSe hedeflerden saçtırma yöntemi ile 250 oC sıcaklıkta soda lime cam alttaşlar üzerine kaplandı. In ve Ga oranı ve üretim sonrası ısıl işlemin CuInSe2 (CIS) ve CuGaSe2 (CGS) ince filmlerin özellikleri üzerine etkileri araştırıldı. Üretilmiş filmlerin yapısal özelliklerini incelemek için X-ışını kırınımı (XRD) ve örneklerin bileşenleri enerji dağılımlı X-ışını kırınımı analizi (EDXA) yöntemi kullanılarak analiz edildi. İnce film örneklerinin Raman aktif modlarının tayini için oda sıcaklığında Raman spektroskopi ölçümleri yapıldı. 400 oC sıcaklıkta ısıl işlem uygulanmış CIS ve CGS ince film örneklerinin en aktif modları (A1 modu) en yoğun çizgilerin sırayla 178 cm^{-1} ve 185 $cm^{-1}$ olduğu gözlendi. Bu mod kalkopirit yapıların Raman spektroskopisinde gözlemlenen en güçlü moddur. Isıl işlem uygulanmamış ve 350 oC’ta ısıl işlem uygulanmış CGS örneklerinde 486 $cm^{-1}$ çizgisi gözlenmiş olmasına rağmen bu çizginin yoğunluğu artan ısıl işlem sıcaklığı ile ters orantılı olarak azaldığı ve 400 oC uygulanan ısıl işlem sonrası tamamen yok olduğu gözlenmiştir. Üretilen CIS ve CGS ince filmlerin optik geçirgenlik ölçümleri sonucunda ısıl işlem uygulanmayan filmler ve at 400 oC sıcaklıkta ısıl işlem uygulanan filmler için optik bant aralıklarındaki değişim değerleri CIS için 1.28 eV ile 1.45 eV, CGS için 1.68 eV ile 1.75 eV aralıklarında değiştiği hesaplandı. Numunelerin oda sıcaklığındaki elektriksel iletkenlikleri ısıl işlem öncesi ve 400 oC ısıl işlem sonrasında n-CIS için sırayla 8.6x$10^{-3}$ ve 13.6x$10^{-2}$ $\\;{(Ω.cm)}^{-1}$ , p-CGS için sırayla 1.6 and 1.9 $\\;{(Ω.cm)}^{-1}$ olarak ölçüldü.

Description

Keywords

Turkish CoHE Thesis Center URL

Fields of Science

Citation

0

WoS Q

N/A

Scopus Q

N/A

Source

Avrupa Bilim ve Teknoloji Dergisi

Volume

0

Issue

15

Start Page

77

End Page

85

Collections